一种避免像素电极open的结构设计及其制备工艺

摘要

本发明提供了一种避免像素电极open的结构设计，所述结构设计中采用特殊LS遮光层，在LS层图案边界位置形成漏极刻蚀孔，形成漏极处凸起结构，在凸起处PLN层厚度明显小于周围其他位置。进一步在漏极凸起位置正上方完成PLN打孔，此时打孔深度将明显小于原有结构时孔洞深度，为像素电极线P‑ITO的淀积提供了更小的坡度角，能够避免因P‑ITO线断裂而产生的不良。

主权项

一种避免像素电极open的结构设计，其特征在于，所述结构设计为特殊LS结构半导体基板，所述特殊LS结构半导体基板包括LS遮光层，所述LS遮光层构成凸起结构，所述凸起结构正上方设有漏极电极刻蚀孔和 PLN孔，所述漏极电极刻蚀孔为ILD孔。