半导体结构及其形成方法

摘要

本发明的实施例公开了一种其中具有掺杂金属的蚀刻停止层的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成具有互连结构的半导体器件，互连结构中具有介电层和导体，以及在介电层上方形成蚀刻停止层；施加光刻胶层并且图案化光刻胶层，以暴露介电层上方的蚀刻停止层的位于导体的顶面上的部分；以及利用元件掺杂蚀刻停止层的暴露部分，以形成掺杂金属的蚀刻停止层。所形成的掺杂金属的蚀刻停止层具有凹槽结构并且用作导体上方的导电衬垫。

主权项

一种半导体结构，包括：底层结构；介电层，所述介电层位于所述底层结构上；导电插塞，所述导电插塞穿过所述介电层并且所述导电插塞电连接至所述底层结构；以及蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述介电层和所述导电插塞上方，其中，所述蚀刻停止层的位于所述导电插塞上方的部分掺杂有导电元件。