一种三维硅基片式薄膜电容器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维硅基片式薄膜电容器及其制造方法，包括硅基体，制造在硅基体上的微型孔洞，在孔洞内形成的薄膜电容器功能层和顶电极层以及硅基体背面的底电极层。所述硅基体为低电阻率硅基体，晶向100；所述功能层为二氧化硅和氮化硅双层结构；所述顶电极层为钛钨打底层和金层；所述底电极层为钛钨打底层和金层。本发明的三维硅基片式薄膜电容器具有体积小、损耗低、绝缘电阻高、温度系数小等效串联电阻和等效串联电感低等特点。由于其制造工艺与半导体工艺相兼容，性能稳定，可广泛应用于航空航天、军事雷达、计算机通信，便携式电子设备，汽车能源，家用电子等领域，具有非常广阔的市场前景和巨大的商业价值。

主权项

一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：包括硅基体、微型孔洞、氧化硅层、氮化硅层、顶部打底层、顶部金层、背部打底层和背部金层，所述硅基体一侧为抛光面，该抛光面上设有若干个微形孔洞；所述硅基体的微形孔洞内壁和底部设有氧化硅层，在氧化硅层上设有氮化硅层；所述顶部打底层设置在氮化硅层上，在顶部打底层上设置顶部金层，所述背部打底层设置在硅基体的另一侧，在背部打底层上设有背部金层。