| 发明名称 | 晶体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。 | ||
| 申请公布号 | CN103361713B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201310248053.0 | 申请日期 | 2008.06.04 |
| 申请人 | 弗赖贝格化合物原料有限公司 | 发明人 | S·艾希勒;T·宾格尔;M·布特;R·吕曼;M·舍费尔-奇甘 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 董华林 |
| 主权项 | 半导体材料砷化镓(GaAs)的晶体，该晶体具有至少100mm×100mm的矩形的横截面尺寸，或者具有4英寸、6英寸或8英寸或中间数值或更大的直径，该晶体具有位错密度的一种分布且代表位错密度的腐蚀坑密度(epd)的全局的标准偏差(σ<sub>全局</sub>)在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6％，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差(σ<sub>全局</sub>)在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3％，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。 | ||
| 地址 | 德国弗赖贝格 | ||