| 发明名称 | 一种处理FLASH存储器中数据的方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种处理FLASH存储器中数据的方法，包括以下步骤：S10、将一块存储阵列划分成2n行*m列存储单元，至少由一块存储阵列构成一个FLASH存储器；所述FLASH存储器包括NOR FLASH存储器和NAND FLASH存储器；S30、在所述FLASH存储器中擦除数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据擦除处理。本发明采用间隔行擦除方式，使得处于擦除状态中的存储单元，两侧均受到因处于非擦除状态中的存储单元电压耦合影响；从而保证FLASH存储器中整体擦除速度一致，以及确保FLASH存储器中数据擦除准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN106601293A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201611181783.3 | 申请日期 | 2016.12.20 |
| 申请人 | 合肥恒烁半导体有限公司 | 发明人 | 任军;李政达 |
| 分类号 | G11C16/14(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人 | 郭桂峰 |
| 主权项 | 一种处理FLASH存储器中数据的方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、将一块存储阵列划分成2n行*m列存储单元，至少由一块存储阵列构成一个FLASH存储器；所述FLASH存储器包括NOR FLASH存储器和NAND FLASH存储器；S30、在所述FLASH存储器中擦除数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据擦除处理。 | ||
| 地址 | 230000 安徽省合肥市庐阳区工投兴庐科技产业园2号楼6层 | ||