发明名称 一种双活性电极氮氧化物传感器芯片及其制备方法
摘要 本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种双活性电极氮氧化物传感器芯片及其制备方法。本发明中的氮氧化物传感器芯片结构简单。在结构上省去了三个电化学氧泵、两个腔室、一个参比空气通道和三个引脚,极大地简化了氮氧化物传感器芯片的结构,制备过程简单,省去了冲切、叠合和压制的制备过程,使制备过程得到了较大的简化;制备成本低,节省了冲切、叠合和压制的制备过程的费用;节省了制备氧化锆基片过程中花费的大量费用;测量效果好,且能够测量氮氧化物的含量,在氧化铝基片上同时集成了双活性电极氮氧化物浓差电池能够精确测量汽车尾气中的氮氧化物含量;具有极大的经济价值和市场前景。
申请公布号 CN106596683A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611027211.X 申请日期 2016.11.16
申请人 深圳市普利斯通传感科技有限公司 发明人 江澍;赵芃;谢光远
分类号 G01N27/407(2006.01)I 主分类号 G01N27/407(2006.01)I
代理机构 深圳市精英专利事务所 44242 代理人 任哲夫
主权项 一种双活性电极氮氧化物传感器芯片,其特征在于,所述芯片包括加热电阻、双活性电极氮氧化物浓差电池、氧化铝基片;所述加热电阻、双活性电极氮氧化物浓差电池设置在所述氧化铝基片的表面;所述加热电阻对称分布在氧化铝基片的边缘处。
地址 518000 广东省深圳市宝安区松岗街道江边社区工业中心大道11号3栋8楼