发明名称 |
一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法 |
摘要 |
一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,它属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域,具体涉及一种SiC多孔陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔径分布和大小难以调控、比表面积较小、高孔隙率陶瓷的力学强度低的问题。制备方法:一、揉制面团;二、发酵与冻干得到多孔面团;三、炭化得到碳多孔骨架;四、烧结得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。本发明主要用于制备耐高温结构型SiC多孔陶瓷。 |
申请公布号 |
CN106588085A |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201611199601.5 |
申请日期 |
2016.12.22 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
王志江;苟永杰;吴丽娜 |
分类号 |
C04B38/02(2006.01)I;C04B35/573(2006.01)I |
主分类号 |
C04B38/02(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
侯静 |
主权项 |
一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于它是按以下步骤完成的:一、揉制面团:利用去离子水将面粉和酵母混合均匀,并揉制成面团;二、发酵与冻干:将面团先恒温发酵,然后冷冻干燥,得到多孔面团;三、炭化:将多孔面团进行炭化处理,得到碳多孔骨架;四、烧结:将碳多孔骨架放置在反应硅源上,然后烧结,再冷却至室温,即得到耐高温结构型SiC多孔陶瓷。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |