一种10B富集的ZrB₂溅射靶材的制备方法及应用

摘要

本发明提供了一种¹⁰B富集的ZrB₂溅射靶材的制备方法及应用，属于溅射靶材制备及应用领域。该方法包括以下步骤：采用碳热还原反应制备¹⁰B富集的ZrB₂粉体，将该ZrB₂粉体装入高强石墨模具中，再惰性气氛保护下热压烧结，得到ZrB₂靶材，该靶材用于直流磁控溅射制备¹⁰B富集的ZrB₂薄膜。本发明提供的制备方法工艺过程简单，成本低，易于实现产业化生产，热压烧结过程无须添加烧结助剂，得到的ZrB₂溅射靶材纯度高、相结构单一、致密度高、导电性好，适于直流磁控溅射制备ZrB₂薄膜。

主权项

一种¹⁰B富集的ZrB₂溅射靶材的制备方法，其特征在于，该方法步骤如下：(1)制备¹⁰B富集的ZrB₂粉体；(2)将¹⁰B富集的ZrB₂粉体装入高强石墨模具中；(3)在惰性气氛保护下热压烧结；(4)热压烧结的ZrB₂陶瓷坯体进行加工后处理，得到¹⁰B富集的ZrB₂溅射靶材。