一种硅基异质结电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基异质结电池的制备方法，其包括：提供N型硅片；在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层；分别在两面的阻挡层上蒸镀铜层；分别在两面的铜层上形成铜栅线电极。本发明采用蒸镀的方式沉积铜层，其给阻挡层带来的表面损失小；而且采用蒸镀的方法可以不用再做种子铜层，节约了成本，使得工艺变得简单。

主权项

一种硅基异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供N型硅片；在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层；分别在两面的阻挡层上蒸镀铜层；分别在两面的铜层上形成铜栅线电极。