发明名称 |
一种快速恢复二极管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种快速恢复二极管,包括N+型氮化镓外延层和从下到上依次设置在N+型氮化镓外延层一侧上的N型氮化镓外延层、N‑型氮化镓基片层、P型氮化镓外延层、P+型氮化镓外延层和阳极层,所述N+型氮化镓外延层另一侧设置有阴极层。本发明中快速恢复二极管采用氮化镓材料制备而成,且其反向恢复时间(t<sub>RR</sub>)、电流(I<sub>RR</sub>)、软化因子(S)都得到更加有效的控制,具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN106601827A |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201611159750.9 |
申请日期 |
2016.12.15 |
申请人 |
张家港意发功率半导体有限公司 |
发明人 |
宣传进;郝建勇;周炳 |
分类号 |
H01L29/868(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/868(2006.01)I |
代理机构 |
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 |
代理人 |
曹军 |
主权项 |
一种快速恢复二极管,其特征在于,包括N+型氮化镓外延层和从下到上依次设置在N+型氮化镓外延层一侧上的N型氮化镓外延层、N‑型氮化镓基片层、P型氮化镓外延层、P+型氮化镓外延层和阳极层,所述N+型氮化镓外延层另一侧设置有阴极层。 |
地址 |
215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇乘航河东路80号 |