发明名称 一种快速恢复二极管及其制备方法
摘要 本发明公开了一种快速恢复二极管,包括N+型氮化镓外延层和从下到上依次设置在N+型氮化镓外延层一侧上的N型氮化镓外延层、N‑型氮化镓基片层、P型氮化镓外延层、P+型氮化镓外延层和阳极层,所述N+型氮化镓外延层另一侧设置有阴极层。本发明中快速恢复二极管采用氮化镓材料制备而成,且其反向恢复时间(t<sub>RR</sub>)、电流(I<sub>RR</sub>)、软化因子(S)都得到更加有效的控制,具有良好的应用前景。
申请公布号 CN106601827A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611159750.9 申请日期 2016.12.15
申请人 张家港意发功率半导体有限公司 发明人 宣传进;郝建勇;周炳
分类号 H01L29/868(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 主分类号 H01L29/868(2006.01)I
代理机构 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人 曹军
主权项 一种快速恢复二极管,其特征在于,包括N+型氮化镓外延层和从下到上依次设置在N+型氮化镓外延层一侧上的N型氮化镓外延层、N‑型氮化镓基片层、P型氮化镓外延层、P+型氮化镓外延层和阳极层,所述N+型氮化镓外延层另一侧设置有阴极层。
地址 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇乘航河东路80号