发明名称 |
一种电熔丝存储单元和电熔丝存储阵列 |
摘要 |
本发明提供一种电熔丝存储单元和电熔丝存储阵列,涉及半导体技术领域。包括:电熔丝,所述电熔丝具有第一端和与所述第一端相对的第二端;第一晶体管,所述第一晶体管的漏极与所述电熔丝的所述第一端连接,所述第一晶体管的栅极连接读字线,所述第一晶体管的源极连接第一位线;第二晶体管,所述第二晶体管的漏极与所述电熔丝的所述第二端连接,所述第二晶体管的栅极连接熔烧字线。本发明实施例中的电熔丝存储单元通过增加与读字线相连的NMOS晶体管传输门来克服对读操作的限制,使用不同NMOS晶体管使读写分开,来达成限制流经读电流的作用,使得读操作的次数不受限制,并且用预充电路和新的读时序来提高电熔丝存储阵列的读操作速度。 |
申请公布号 |
CN106601301A |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201510661893.9 |
申请日期 |
2015.10.14 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
杨家奇 |
分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种电熔丝存储单元,包括:电熔丝,所述电熔丝具有第一端和与所述第一端相对的第二端;第一晶体管,所述第一晶体管的漏极与所述电熔丝的所述第一端连接,所述第一晶体管的栅极连接读字线,所述第一晶体管的源极连接第一位线;第二晶体管,所述第二晶体管的漏极与所述电熔丝的所述第二端连接,所述第二晶体管的栅极连接熔烧字线。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |