| 发明名称 | 一种双保护厄他培南晶型及其制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及医药中间体合成技术领域，尤其涉及一种厄他培南中间体晶型及其制备工艺技术领域，具体为一种双保护厄他培南晶型及其制备工艺，所述的双保护基厄他培南晶型在衍射角2θ为5.7±0.2°,8.6±0.2°,12.8±0.2°,14.3±0.2°,15.8±0.2°,16.7±0.2°,18.0±0.2°处有特征峰。 | ||
| 申请公布号 | CN104788452B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201410018915.5 | 申请日期 | 2014.01.16 |
| 申请人 | 浙江九洲药业股份有限公司 | 发明人 | 蔡亚祥;方健;李前勇;张怀宝 |
| 分类号 | C07D477/20(2006.01)I;C07D477/06(2006.01)I | 主分类号 | C07D477/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种具有下列式(c)结构化合物的晶型，在衍射角2θ为5.7±0.2°,8.6±0.2°,12.8±0.2°,14.3±0.2°,15.8±0.2°,16.7±0.2°,18.0±0.2°处有特征峰，<img file="FDA0001067524810000011.GIF" wi="764" he="682" /> | ||
| 地址 | 318000 浙江省台州市椒江区外沙路99号研发中心 | ||