发明名称 基于铽的探测器闪烁体
摘要 一种成像系统(100)包括辐射源(110)和辐射敏感探测器阵列(116),所述辐射敏感探测器阵列包括闪烁体阵列(118)和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列(120),其中,所述闪烁体阵列包括Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Pr,Tb,Ce。一种方法,包括利用成像系统(100)的辐射敏感探测器阵列(116)探测辐射,其中,所述辐射敏感探测器阵列包括基于Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Pr,Tb,Ce的闪烁体阵列(118)。一种辐射敏感探测器阵列(116)包括闪烁体阵列(118)和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列(120),其中,所述闪烁体阵列包括Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Pr,Tb,Ce,并且Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Pr,Tb,Ce中Tb<sup>3+</sup>的量等于或小于200摩尔百万分率。
申请公布号 CN103718063B 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201280037639.6 申请日期 2012.07.03
申请人 皇家飞利浦有限公司 发明人 C·R·龙达;N·康拉茨;H·奥兰德;H·施赖讷马赫尔
分类号 G01T1/202(2006.01)I;C09K11/77(2006.01)I;G21K4/00(2006.01)I 主分类号 G01T1/202(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 刘瑜;王英
主权项 一种成像系统(100),包括:辐射源(110);以及辐射敏感探测器阵列(114),其包括:闪烁体阵列(118);以及光传感器阵列(120),其被光学耦合到所述闪烁体阵列,其中,所述闪烁体阵列包括Gd<sub>2</sub>O<sub>2</sub>S:Pr,Tb,Ce,其中,Tb<sup>3+</sup>的量等于或小于五十摩尔百万分率。
地址 荷兰艾恩德霍芬