用于晶体生长装置的加热器组件

摘要

本发明提供一种系统与方法，用以促进晶体生长装置的坩埚中的原料材料(例如：硅)的均匀的热环境。更具体而言，可将加热系统设置于晶体生长装置中以便包括至少第一及第二加热组件，其中，该第一加热组件配置成轴对称性地分散热至该原料材料，该第二加热组件配置成对称性地分散热至该原料材料，藉此提供该坩埚中的该原料材料均匀的加热分布，使得晶体铸块品质的一致性增加。

主权项

一种晶体生长装置，包含：容置于长方体状的坩埚中的原料材料，该坩埚设置于该晶体生长装置中；以及加热系统，设置于该晶体生长装置中，该加热系统包括至少第一加热组件以及第二加热组件，该第一加热组件为圆形且配置成将热轴对称性地分散至该原料材料，而该第二加热组件为方形且配置成将热对称性地分散至该原料材料，其中，圆形的该第一加热组件设置于该长方体状的坩埚的上方，以及方形的该第二加热组件沿着该长方体状的坩埚的所有侧边而设置。