发明名称 绝缘栅双极晶体管及其制备方法
摘要 本公开涉及绝缘栅双极晶体管及其制备方法。绝缘栅双极晶体管包括:第一器件,第一器件具有第一栅区、第一集电区和第一发射区;至少一个第二器件,第二器件具有第二栅区、第二集电区和第二发射区,并且第二器件内嵌在第一器件中,其中,第二集电区与第一集电区相连通,并且第一栅区与第二栅区相连通,其中,第一发射区和第二发射区由金属间距区隔离以分别作为第一电流收集区和第二电流收集区;以及至少一个PN结,所述PN结位于第一器件和第二器件之间,并且第一电流收集区的金属接PN结的N+区,第二电流收集区的金属接PN结的P+区。
申请公布号 CN106601801A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611095687.7 申请日期 2016.12.01
申请人 王培林 发明人 王培林
分类号 H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 主分类号 H01L29/739(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 桑敏
主权项 一种绝缘栅双极晶体管,包括:第一器件,所述第一器件具有第一栅区、第一集电区和第一发射区;至少一个第二器件,所述第二器件具有第二栅区、第二集电区和第二发射区并内嵌在所述第一器件中,其中,所述第二集电区与所述第一集电区相连通,所述第一栅区与所述第二栅区相连通,并且其中,所述第二发射区所接的金属和所述第一发射区所接的金属由金属间距区隔离以分别作为第二电流收集区金属和第一电流收集区金属;以及至少一个PN结,所述PN结位于所述第一器件和所述第二器件之间,并且所述第一电流收集区金属接所述PN结的N+区,所述第二电流收集区金属接所述PN结的P+区。
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