| 发明名称 | 一种CdSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种CdSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点及其制备方法，方法包括步骤：在惰性气体氛围下，将镉前驱体快速升温至320~350℃，随后将CuSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点注入到镉前驱体中，反应5~20mins，并停止加热；待反应液冷却至室温后，将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到CdSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点，其中，0≤X≤1。本发明通过阳离子交换技术将环境友好的CuSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点转换成CdSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点，减少重金属Cd的使用量。CdSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点的成分和晶格可通过预先设计CuSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点的成分和晶格完成。阳离子交换过程中，合金量子点的形貌和尺寸未发生变化。 | ||
| 申请公布号 | CN106590661A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201610937283.1 | 申请日期 | 2016.11.01 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 刘政;杨一行;曹蔚然;钱磊;向超宇 |
| 分类号 | C09K11/88(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种CdSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点的制备方法，其特征在于，包括步骤：在惰性气体氛围下，将制备好的镉前驱体升温至320~350℃，随后将制备好的CuSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点注入到镉前驱体中，反应5 ~20mins后，停止加热；待反应液冷却至室温后，将产物反复溶解、沉淀，离心提纯，得到CdSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点，其中，0≤X≤1。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||