一种射频LDMOS器件及其制备方法

摘要

本发明适用于集成电路制造领域，提供了射频LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；P+下沉区域；源区；多晶硅栅；沟道区；漂移区；漏区。本发明实施例，通过调整射频LDMOS器件的P型外延区域厚度参数，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。

主权项

一种射频LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：获取P型外延区域厚度参数；根据预设的计算公式和所述P型外延区域厚度参数，获取所述射频LDMOS器件的相关参数；根据所述P型外延区域厚度参数和所述相关参数制备射频LDMOS器件，包括：制备电阻率为0.05～0.15Ω/cm³的P+硅衬底；在所述P+硅衬底的上方形成厚度为9μm、掺杂浓度为6*10¹⁴cm^‑3～8*10¹⁴cm^‑3的P型外延区域；通过注入剂量为5.5*10¹⁵cm^‑2～7.5*10¹⁵cm^‑2、能量为90～110Kev、1050℃高温推进时间为180～220min的B杂质，扩散形成P+下沉区域；形成场氧厚度为1.8～2.2μm的源区；形成栅氧厚度为多晶硅厚度为的多晶硅栅；通过注入剂量为2*10¹³cm^‑2～4*10¹³cm^‑2、能量为40～60Kev、1000～1100℃高温推进时间为40～60min的B杂质形成沟道区；通过注入剂量为1.1*10¹²cm^‑2～1.5*10¹⁵cm^‑2、能量为140～160Kev、1000～1100℃高温推进时间为40～70min的As杂质，形成长度为2μm～4μm的漂移区；通过注入剂量为4*10¹⁵cm^‑2～6*10¹⁵cm^‑2、能量为80～120Kev、900～1000℃快速热处理30min的As杂质形成漏区。