一种晶须状SiC/Si₃N₄/Si₂N₂O复合粉体及其制备方法

摘要

本发明具体涉及一种晶须状SiC/Si₃N₄/Si₂N₂O复合粉体及其制备方法。其技术方案是：以54~87wt%的单质硅粉和13~46wt%的碳粉为原料，外加所述原料3~6wt%的改性结合剂，搅拌均匀，机压成型，成型后的坯体在110℃条件下干燥12~48小时；再将干燥后的坯体于埋碳气氛中烧成：在1180~1280℃条件下保温2~6小时，继续升温至1420~1480℃，保温3~6小时；然后随炉自然冷却至室温，破碎，制得晶须状SiC/Si₃N₄/Si₂N₂O复合粉体。本发明在无催化剂和经高于硅熔点温度处理制得晶须状SiC/Si₃N₄/Si₂N₂O复合粉体，工艺简单；所制备的晶须状SiC/Si₃N₄/Si₂N₂O复合粉体杂质含量低，物相含量、SiC晶须直径和形貌可控。

主权项

一种晶须状SiC/Si₃N₄/Si₂N₂O复合粉体的制备方法，其特征在于以54～87wt％的单质硅粉和13～46wt％的碳粉为原料，外加所述原料3～6wt％的改性结合剂，搅拌均匀，机压成型，成型后的坯体在110℃条件下干燥12～48小时；再将干燥后的坯体于埋碳气氛中烧成：在1180～1280℃条件下保温2～6小时，继续升温至1420～1480℃，保温3～6小时；然后随炉自然冷却至室温，破碎，制得晶须状SiC/Si₃N₄/Si₂N₂O复合粉体；其中，改性结合剂的制备方法是：先将45～60wt％酚醛树脂和40～55wt％单质硅为混合料混合,外加所述混合料12～25wt％的无水乙醇,在55～65℃的水浴锅中搅拌1小时，即得到改性结合剂。