薄膜晶体管及像素结构

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管及像素结构，该薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体沟道层、介电层、源极以及漏极。栅极设置于基板上并与一栅极线连接。氧化物半导体沟道层实质上沿第二方向延伸，且第二方向与第一方向不平行也不垂直。介电层设置于氧化物半导体沟道层上并具有第一接触洞与第二接触洞，分别部分暴露出氧化物半导体沟道层，第一接触洞的中心点与第二接触洞的中心点在第一方向上不共线。源极设置于介电层上并经由第一接触洞与氧化物半导体沟道层接触且连接，漏极设置于介电层上并经由第二接触洞与氧化物半导体沟道层接触且连接。本发明的薄膜晶体管可有效缩减薄膜晶体管的宽度，提升集成电路的元件积集度还可提升解析度。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：一基板；一栅极，设置于该基板上并与一栅极线连接，其中该栅极线实质上沿一第一方向延伸，且该栅极线包括一第一栅极线段与一第二栅极线段，该栅极的一端与该第一栅极线段连接，且该栅极的另一端与该第二栅极线段连接，该栅极实质上沿一第二方向延伸，且该第二方向与该第一方向不平行也不垂直；一栅极绝缘层，覆盖于该栅极上；一氧化物半导体沟道层，设置于该栅极绝缘层上并与该栅极在一垂直投影方向上重叠，其中该氧化物半导体沟道层实质上沿该第二方向延伸；一介电层，设置于该栅极绝缘层与该氧化物半导体沟道层上，该介电层具有一第一接触洞与一第二接触洞，分别部分暴露出该氧化物半导体沟道层，其中该第一接触洞的一中心点与该第二接触洞的一中心点在该第一方向上不共线；一源极，设置于该介电层上并经由该第一接触洞与该氧化物半导体沟道层接触且连接，其中该源极与一数据线连接，且该数据线实质上沿一第三方向延伸；以及一漏极，设置于该介电层上并经由该第二接触洞与该氧化物半导体沟道层接触且连接。