发明名称 | 单差分变压器核 | ||
摘要 | 公开了一种集成电路。该集成电路包括初级线圈。该集成电路还包括第一次级线圈,该第一次级线圈与该初级线圈一起充当第一变压器。该集成电路还包括第二次级线圈,该第二次级线圈与该初级线圈一起充当第二变压器。初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈在该集成电路上可以具有使第一次级线圈和第二次级线圈之间的耦合最小化的布局。 | ||
申请公布号 | CN103891134B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
申请号 | CN201280052586.5 | 申请日期 | 2012.10.29 |
申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | Y·G·金;H·S·金 |
分类号 | H03B5/12(2006.01)I | 主分类号 | H03B5/12(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 袁逸 |
主权项 | 一种集成电路,包括:单差分变压器核,包括:初级线圈;第一次级线圈,所述第一次级线圈与所述初级线圈形成第一变压器;以及第二次级线圈,所述第二次级线圈与所述初级线圈形成第二变压器,其中所述初级线圈、所述第一次级线圈和所述第二次级线圈在所述集成电路上具有使所述第一次级线圈和所述第二次级线圈之间的耦合最小化的布局,其中所述初级线圈的两端、所述第一次级线圈的两端、以及所述第二次级线圈的两端全都位于所述布局的同一侧上;第一晶体管,其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述初级线圈,并且其中所述第一晶体管的漏极耦合到所述第一次级线圈;以及第二晶体管,其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述初级线圈,并且其中所述第二晶体管的漏极耦合到所述第二次级线圈。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |