一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明公开一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及制备方法，其方法包括步骤：量子点发光单元的制备：在漏极上依次制备空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和源极；电容单元的制备：在上述制备的源极上依次制备绝缘层和栅极。本发明采用垂直结构的QLED场效应晶体管，可实现低工作电压下的高输出电流。另外，相比于传统横向FET结构，本发明垂直结构的QLED场效应晶体管，场效应晶体管更易于与QLED集成，并实现器件的多功能结合；且本发明的QLED场效应晶体管可采用全无机的材料制备，具有相比于有机半导体材料更高的迁移率，利于提高器件性能。此外，本发明QLED场效应晶体管可采用全溶液法制备，成本低廉，工艺简单。

主权项

一种垂直结构量子点发光场效应晶体管，其特征在于，包括电容单元和量子点发光单元，所述电容单元垂直堆叠在量子点发光单元上，所述量子点发光单元自下而上依次包括漏极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和源极，所述电容单元自下而上依次包括源极、绝缘层和栅极，所述电容单元和量子点发光单元通过中间共有的源极连在一起。