发明名称 基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器及其制备方法,经带负电多孔石墨烯分散液的制备、带正电多孔石墨烯分散液的制备、三维多孔石墨烯超薄膜的组装制备、基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器的制备四个步骤实现传感器的制备。本发明所得到的多孔石墨烯超薄膜气敏传感器对DMMP气体分子具有极高的灵敏度;此制备方法工艺简单,适合于传感器的大量制备。
申请公布号 CN106596654A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611135425.9 申请日期 2016.12.11
申请人 苏州大学 发明人 王艳艳;彭长四;陈林森
分类号 G01N27/12(2006.01)I 主分类号 G01N27/12(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 陶海锋;孙周强
主权项 一种基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器的制备方法,包括以下步骤:(1)将液体氧化剂以及硫酸盐加入氧化石墨烯水溶液中,用酸调节pH为1~4;然后超声处理形成氧化石墨烯分散液;将氧化石墨烯分散液紫外处理后进行透析处理,得到带负电多孔石墨烯分散溶液;所述紫外处理的功率为1500 W~4000 W,时间为30 s~30 min;(2)将对苯二胺加入带负电多孔石墨烯分散溶液中,回流反应得到带正电的多孔石墨烯分散液;(3)将第一电极依次浸入带负电的多孔石墨烯分散液、带正电的多孔石墨烯分散液中,重复15~200次,干燥得到带有三维多孔石墨烯超薄膜的第一电极;(4)在带有三维多孔石墨烯超薄膜的第一电极的三维多孔石墨烯超薄膜表面制备第二电极,得到基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器。
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号