| 发明名称 | 一种碳化硅陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。所述方法包括以如下重量百分比成分为原料经过冷等静压和液相烧结进行制备：陶瓷主原料、占陶瓷主原料重量2.5％‑3.5％的粘结剂和占陶瓷主原料重量1.5％‑2.5％的分散剂。一般的陶瓷材料成型都采用干压成型，干压成型时，由于压力分布不均匀而造成坯体内部密度分布不一致，从而影响材料的各种性能；相比较干压成型，冷等静压成型施压均匀，材料各个方向受到的压力相同，使材料的烧结密度、弯曲强度、抗折强度得到提高。 | ||
| 申请公布号 | CN106588021A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201611125183.5 | 申请日期 | 2016.12.08 |
| 申请人 | 北京国网富达科技发展有限责任公司;国网浙江省电力公司 | 发明人 | 张磊;张东英;丁丁;何飞;李凤辉;贾海坤;白建涛 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/632(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 张德斌;姚亮 |
| 主权项 | 一种碳化硅陶瓷的制备方法，其中，所述方法包括以如下重量百分比成分为原料经过冷等静压和液相烧结进行制备：陶瓷主原料、占陶瓷主原料重量2.5％‑3.5％的粘结剂和占陶瓷主原料重量1.5％‑2.5％的分散剂。 | ||
| 地址 | 100070 北京市丰台区南四环西路188号总部基地六区13栋 | ||