发明名称 基于ALD技术在医疗器械上制备氧化层的节能型方法
摘要 基于ALD技术在医疗器械上制备氧化层的节能型方法,该方法包括以下具体步骤:S1:清洗干燥;S2:氧化物选择;S3:通入气体;S4:厚度选择;S5:固化操作;S6:抗菌处理,该发明通过原子层沉积技术,将气相交替的通入反应器病在沉积的医疗器械的表面上发生化学反应来形成薄膜的一种方法,该方法可以在植入型合金医疗器械的表面制得100‑200nm厚度的氧化层,具有很好的稳定性和致密性,改变原有植入型医疗器械的粘附性、生物相容性和血液相容性,避免植入型医疗器械在体内环境以及支架的扩张过程中出现高分子载药层的脱落和开裂的现象,和不可降解的高分子材料,对人体的技能也会造成的影响引起新的医疗问题。
申请公布号 CN106581782A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611144058.9 申请日期 2016.12.13
申请人 天津丰茂科技有限公司 发明人 徐福春
分类号 A61L31/08(2006.01)I;A61L31/16(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I 主分类号 A61L31/08(2006.01)I
代理机构 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人 郭云梅
主权项 一种基于ALD技术在医疗器械上制备氧化层的节能型方法,其特征在于:该基于ALD技术在医疗器械上制备氧化层的节能型方法具体步骤如下:S1:清洗干燥:将需要制备氧化层的医疗器械挑选出来,除去表面附着的尘埃和油污污染物,放置到特定的医疗器械清洗消毒装置中进行清洗和干燥操作;S2:氧化物选择:选择合适的氧化物,其中将氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化锡和氧化锌常见的氧化物存储已备用;S3:通入气体:选择合适尺寸的夹具,经过消毒干燥后将医疗器械放置到ALD工作内腔中,调节好ALD沉积中的工作温度、载气流量和载气压力,其中工作温度设定在25‑300℃,载气流量设定在500‑1000sccm,将ALD工作室抽真空,并且通入惰性气体进行清扫操作;设定好各个数值后向ALD工作内腔中通入易挥发的卤化物ALD前驱体化合物蒸汽,待化合物蒸汽稳定好再次向ALD工作内腔中通入臭氧,并且同时用氧气探测器测量氧气分压,待反应结束后向ALD工作内腔中通入惰性气体,后对ALD工作室进行吹扫清洗工作;S4:厚度选择:按照S3步骤重复操作,以此来改变医疗器械表面的沉积厚度;S5:固化操作:将S3步骤中ALD工作温度进行调节至适当的范围,将医疗器械取出,常温下放置2‑4h,然后放入到固化炉中,添加氦气为介质,将固化炉升温,其中温度设定在180‑200℃,在此温度下处理5‑6h;S6:抗菌处理:将S5步骤中的医疗器械取出冷却,取质量比为1%‑10%钛酸酯放入到搅拌容器中,加入溶解剂搅拌,并且在加入溶解剂的同时依次加入质量比为1%‑10%的盐酸、水、硅化合物、质量比为0.1%‑1%的分散剂、质量比为0.1%‑1%的硝酸银和质量比1%‑4%的硝酸锌进行充分搅拌,制得抗菌涂料,将冷却后的医疗器械放置到搅拌好的抗菌涂料溶液中,做向上和向下的均匀提拿操作,然后放置到烘干设备中进行烘干操作,其中烘干温度设定在30‑80℃,将烘干后的医疗器械放置于煅烧设备中,在200‑300℃的温度下煅烧20‑50h,取出后自然冷却到室内温度,取出后得到具有抗菌图层和氧化物陶瓷的医疗器械。
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