一种鳍型半导体结构及其成型方法

摘要

本发明提供一种能够有效控制源漏区之间漏电流、提高栅极控制能力的鳍型半导体结构。所述鳍型半导体结构包括：具有下部衬底和鳍片部的鳍型衬底，形成在鳍片部上的源区和漏区，形成在所述源漏区之间横跨在鳍片部上的栅极结构，形成在所述鳍片部两侧且位于栅极结构下方的浅沟道隔离，以及形成在所述鳍片部中、栅极结构下方的隔离区。所述浅沟道隔离的上表面低于隔离区的上表面，侧墙和层间介质层位于栅极结构的两侧。本发明还提出了一种形成这种半导体结构的方法。

主权项

一种鳍型半导体结构，其特征在于，包括：具有下部衬底和鳍片部的鳍型衬底；形成在鳍片部上的源区和漏区；形成在所述源区和漏区之间横跨在鳍片部上的栅极结构，栅极结构下方的鳍片部为沟道；形成在所述鳍片部两侧的浅沟道隔离；以及形成在所述鳍片部中的位于所述栅极结构下方、在沟道和下部衬底之间的隔离区，所述浅沟道隔离的上表面低于隔离区的上表面，所述隔离区的两侧具有回切区，所述栅极结构覆盖在所述回切区的表面；位于栅极结构两侧的侧墙和层间介质层。