发明名称 用于高功率半导体激光器的热沉以及制备方法
摘要 本申请提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉,包括:金刚石基底;制备于所述金刚石基底表面的金属层;在所述金属层表面制备有用于焊接激光器芯片的焊接层。本发明使用高热导率的金刚石材料为基底制作热沉,提高半导体激光器芯片工作时的散热效率,降低芯片的工作温度,解决了高功率激光器芯片的散热不佳的技术问题。本申请还提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉的制备方法,达到相同效果。
申请公布号 CN106602401A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201710112965.3 申请日期 2017.02.28
申请人 广东工业大学 发明人 丛海兵;郝明明;牟中飞;陶丽丽;招瑜;李京波
分类号 H01S5/024(2006.01)I 主分类号 H01S5/024(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 罗满
主权项 一种用于高功率半导体激光器的热沉,其特征在于,包括:金刚石基底;制备于所述金刚石基底表面的金属层;在所述金属层表面制备有用于焊接激光器芯片的焊接层。
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