一种SiC晶片的制备方法

摘要

本发明涉及一种SiC晶片的制备方法，包括以下步骤：步骤一，采用高纯的硅粉和碳粉为原料，在高真空条件下，通入高纯氩气，放置在有覆层的石墨坩埚中进行高温合成，得到低氮浓度和硼浓度的高纯SiC粉料；步骤二，在高真空条件下，通入高纯氩气或者氩气和氢气的混合气体，将SiC粉料放置在有覆层的石墨坩埚中进行高温预处理，并且采用固态源进行掺杂；步骤三，生长出的单晶进行滚圆和定向处理，获得标准的晶锭，然后经过多线切割和研磨抛光处理，得到半绝缘SiC抛光片；步骤四，将晶片在真空条件下，加热，并保持2‑10h,再经过降温时间10‑20h即可。本发明的有益效果是：所制备的SiC晶体的电阻率高、缺陷低；提高了晶体的质量。

主权项

一种SiC晶片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，合成高纯的SiC粉料：采用高纯的硅粉和碳粉为原料，在高真空条件下，通入高纯氩气或者氩气和氢气的混合气体，放置在有覆层的石墨坩埚中进行高温合成，得到低氮浓度和硼浓度的高纯SiC粉料；步骤二，高电阻率半绝缘SiC晶体的生长：在高真空条件下，通入高纯氩气或者氩气和氢气的混合气体，将SiC粉料放置在有覆层的石墨坩埚中进行高温预处理，并且采用固态源进行掺杂，生长在特定的坩埚系统中进行；所述固态源浓度大于杂质氮的浓度；步骤三，生长出的单晶进行滚圆和定向处理，获得标准的晶锭，然后经过多线切割和研磨抛光处理，得到半绝缘SiC抛光片；步骤四，对半绝缘SiC抛光片进行退火：将晶片在真空条件下，加热，并保持2‑10h,再经过降温时间10‑20h，获得具有高电阻率、低缺陷的半绝缘SiC晶片。