具有阶梯氧化物的金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明涉及一种具有阶梯氧化物的金属氧化物半导体场效应晶体管以及形成超高压UHV器件的方法，其将组合阶梯氧化物用作栅极氧化物以实现栅极和源极侧间隔件与漏极区的隔离。阶梯氧化物的厚度提高了器件击穿电压，并且使漏极自对准于栅极，从而减小器件漂移区并提高器件导通电阻。组合隔离层包括通过包括热氧化和化学汽相沉积的一系列沉积和蚀刻步骤形成的两个或两个以上的介电层。然后，可以蚀刻组合隔离层以形成自对准结构，其将间隔件用作硬掩模以相对于一些现有方法实现器件间距的减小。位于一个或两个间隔件下方的较厚栅极氧化物可以提高UHV器件的产量和高温工作寿命(HTOL)。

主权项

一种功率器件，包括设置在衬底上方并通过组合隔离层与所述衬底隔离的栅极材料，所述组合隔离层包括：具有第一厚度的第一隔离层，设置在栅极的漏极侧下方；具有第二厚度的第二隔离层，设置在所述第一隔离层上方；具有第三厚度的第三隔离层，设置在所述栅极的源极侧下方；具有第四厚度的第四隔离层，所述第四隔离层设置在所述栅极上方、所述栅极和漏极之间的所述第二隔离层上方以及所述栅极和源极之间的所述第三隔离层上方；其中，所述组合隔离层还包括位于所述栅极下方且位于所述第一隔离层和所述第二隔离层与所述第三隔离层的邻接区域之间的阶梯状轮廓，所述阶梯状轮廓的阶梯尺寸等于所述第一厚度和所述第二厚度的总和减去所述第三厚度。