平面型金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种平面型金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，平面型金属氧化物半导体场效应管包括第一导电类型的衬底、衬底上的第二导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区内的第一导电类型掺杂区、衬底上的栅氧化层、以及栅氧化层上的多晶硅栅极、多晶硅栅极两侧的绝缘侧墙、多晶硅栅极上的介质隔离氧化层、以及介质隔离氧化层上的金属层，金属层从两相邻的多晶硅栅极及两相邻的绝缘侧墙之间向下伸入第一导电类型掺杂区，并向下穿过第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区连接。本发明的MOSFET面积明显缩小，原胞电流密度增大，圆片上有效管芯数增大，从而降低了成本。

主权项

一种平面型金属氧化物半导体场效应管，包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型掺杂区、所述第二导电类型掺杂区内的第一导电类型掺杂区、所述衬底上的栅氧化层、以及所述栅氧化层上的多晶硅栅极，其特征在于，还包括所述多晶硅栅极两侧的绝缘侧墙和多晶硅栅极上的介质隔离氧化层，以及所述介质隔离氧化层上的金属层，且所述金属层从两相邻的多晶硅栅极及两相邻的绝缘侧墙之间向下伸入所述第一导电类型掺杂区，并向下穿过所述第一导电类型掺杂区与所述第二导电类型掺杂区连接，从而将所述第一导电类型掺杂区和所述第二导电类型掺杂区连接成等电位；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。