| 发明名称 | 光刻胶质量检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光刻胶质量检测方法，包括：提供形成有膜层结构的监控半导体衬底，所述膜层结构与当前工艺的半导体衬底的膜层结构相对应；利用所述监控半导体衬底进行光刻工艺，所述光刻工艺利用待检测的光刻胶进行；利用刻蚀工艺去除所述待待检测的光刻胶；在刻蚀工艺后，在所述监控半导体衬底上进行半导体薄膜沉积工艺，在所述监控半导体衬底上形成半导体膜层；对所述半导体膜层进行检测，基于检测结果判断光刻胶质量。本发明的方法能够检测光刻胶的质量缺陷，避免光刻胶质量缺陷引起后续的薄膜沉积空洞缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN106571315A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201611008674.1 | 申请日期 | 2016.11.16 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种光刻胶质量检测方法，其特征在于，包括：提供形成有膜层结构的监控半导体衬底，所述膜层结构与当前工艺的半导体衬底的膜层结构相对应；利用所述监控半导体衬底进行光刻工艺，所述光刻工艺利用待检测的光刻胶进行；利用刻蚀工艺去除所述待待检测的光刻胶；在刻蚀工艺后，在所述监控半导体衬底上进行半导体薄膜沉积工艺，在所述监控半导体衬底上形成半导体膜层；对所述半导体膜层进行检测，基于检测结果判断光刻胶质量。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||