发明名称 |
导电性构件、处理盒和电子照相设备 |
摘要 |
本发明涉及导电性构件、处理盒和电子照相设备。导电性构件具有导电性支承体和形成于导电性支承体上的表面层,其中表面层具有有连续开孔的多孔体,并且导电性构件满足以下(1)和(2):(1)在特定条件下,自从放电完成经过10秒后,导电性构件的表面电位为10V以上;和(2)当在作为被充电构件的聚对苯二甲酸乙二酯膜与导电性构件之间施加直流电压,并且使聚对苯二甲酸乙二酯膜充电时,在|Vin|>|Vth|的范围内满足|Vd|≥|Vin|‑|Vth|,其中,Vd表示聚对苯二甲酸乙二酯膜的充电电位,Vin表示导电性构件与聚对苯二甲酸乙二酯膜之间施加的电压,Vth表示放电起始电压。 |
申请公布号 |
CN104516234B |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201410503046.5 |
申请日期 |
2014.09.26 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
村中则文;山内一浩;菊池裕一;大塚幸治;井本雅规;日野哲男;西冈悟 |
分类号 |
G03G15/02(2006.01)I;G03G21/18(2006.01)I |
主分类号 |
G03G15/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京魏启学律师事务所 11398 |
代理人 |
魏启学 |
主权项 |
一种充电构件,其包括:导电性支承体,和形成于所述导电性支承体上的表面层,其特征在于,所述表面层包含具有连续开孔的多孔体,和包含具有高分子材料的三维连续骨架和三维连续开孔,所述多孔体的孔隙率为40%‑98%,并且所述多孔体的比表面积为0.5μm<sup>2</sup>/μm<sup>2</sup>‑100μm<sup>2</sup>/μm<sup>2</sup>,和所述表面层的厚度为1μm‑200μm,并且所述表面层的体积电阻率为至少1.0×10<sup>10</sup>Ω·cm,其中所述充电构件满足以下(1)和(2):(1)在所述充电构件的表面带电的情况下,从放电完成经过10秒后的所述充电构件的表面电位为10V以上,所述充电构件的表面的带电利用电晕放电单元、通过将8kV的电压施加至所述电晕放电单元并从其放电来进行,所述电晕放电单元配置为所述电晕放电单元的栅格部距所述充电构件的表面1mm;和(2)当在作为被充电构件的聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述充电构件之间施加直流电压,并且使所述聚对苯二甲酸乙二酯膜充电时,在|Vin|>|Vth|的范围内满足|Vd|≥|Vin|‑|Vth|,其中,Vd表示所述聚对苯二甲酸乙二酯膜的充电电位,Vin表示所述充电构件与所述聚对苯二甲酸乙二酯膜之间施加的电压,Vth表示放电起始电压。 |
地址 |
日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号 |