发明名称 |
碳化硅半导体器件 |
摘要 |
漂移层(81)形成了碳化硅层(101)的第一主表面(P1)并且具有第一导电类型。提供源区(83)使得通过体区(82)与漂移层(81)分隔开,并且源区形成第二主表面(P2),并且具有第一导电类型。缓和区(71)设置在漂移层(81)内并且具有距第一主表面(P1)的距离(L<sub>d</sub>)。缓和区(71)具有第二导电类型,并且具有杂质剂量(D<sub>rx</sub>)。漂移层(81)在第一主表面(P1)和缓和区(71)之间具有杂质浓度(N<sub>d</sub>)。满足D<sub>rx</sub>>L<sub>d</sub>·N<sub>d</sub>的关系。因此,提供了具有高耐受电压的碳化硅半导体器件。 |
申请公布号 |
CN104380472B |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201380033600.1 |
申请日期 |
2013.06.11 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
和田圭司;增田健良;日吉透 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李兰;孙志湧 |
主权项 |
一种碳化硅半导体器件,包括:碳化硅层(101),所述碳化硅层具有第一主表面(P1)和与所述第一主表面相反的第二主表面(P2),所述碳化硅层(101)包括:形成所述第一主表面并且具有第一导电类型的漂移层(81),所述漂移层(81)包含上部漂移层(81b)和下部漂移层(81a);体区(82),所述体区设置在所述漂移层(81)上并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型;源区(83),所述源区设置在所述体区(82)上以通过所述体区(82)来与所述漂移层(81)分隔开,形成所述第二主表面(P2),并且具有所述第一导电类型;以及缓和区(71),所述缓和区设置在所述下部漂移层(81a)并且具有所述第二导电类型,所述缓和区(71)具有杂质剂量D<sub>rx</sub>和距所述第一主表面的距离L<sub>d</sub>,所述漂移层在所述第一主表面和所述缓和区之间具有杂质浓度N<sub>d</sub>,并且满足D<sub>rx</sub>>L<sub>d</sub>·N<sub>d</sub>的关系,其中,所述下部漂移层(81a)的杂质浓度低于所述上部漂移层(81b)的杂质浓度;栅极绝缘膜(91),所述栅极绝缘膜设置在所述体区上,以便使所述源区和所述漂移层相互连接;栅电极(92),所述栅电极设置在所述栅极绝缘膜上;第一电极(98),所述第一电极与所述第一主表面(P1)相对;以及第二电极(94),所述第二电极与所述第二主表面(P2)相对。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |