金属互连线的制造方法

摘要

本发明提供一种金属互连线的制造方法，包括：在半导体衬底上依次形成介质层及硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和介质层形成开口；湿法清洗所述开口；执行等离子处理工艺，以平滑所述开口的侧壁；在所述开口内形成金属互连线。本发明在刻蚀形成开口之后、在开口内形成金属互连线之前，增加等离子处理的步骤，平滑所述开口的侧壁，消除了底切缺陷，可改善后续膜层的填充效果，确保后续形成的金属互连线不会出现金属空洞缺陷。

主权项

一种金属互连线的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、介质层及硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、介质层和刻蚀阻挡层形成开口；湿法清洗所述开口，在所述硬掩膜层与介质层界面之间出现底切缺陷；执行等离子处理工艺，以平滑所述开口的侧壁，所述等离子处理工艺采用氮气和氢气的混合气体；以及在所述开口内形成金属互连线。