发明名称 高密度多芯片LED器件
摘要 介绍了高密度多芯片LED器件(600,700,800,900,1100,1200)。本发明的实施例提供了相对高效和紧凑尺寸光输出的高密度多芯片LED器件(600,700,800,900,1100,1200)。LED器件(600,700,800,900,1100,1200)包括多个互连的LED芯片(610,612,702,712,802,812,910,911,912,913,1120,1121,1221,1240)和光学元件例如透镜(1150)。LED芯片(602,612,702,712,802,812,910,911,912,913,1120,1121,1221,1240)可以被布置为两组,其中每组中的LED芯片并联连接,而各组串联连接。在一些实施例中,LED器件(600,700,800,900,1100,1200)包括可由陶瓷材料制成的基座(500,1000)。线接合(614,616,618,620,716,718,720,814,816,820,914,916,917,918,920,921,1122,1123,1125,1126,1221,1240,1242,1244)可以连接至LED芯片(610,612,702,712,802,812,910,911,912,913,1120,1121,1221,1240),以使所有线接合都设置在LED芯片组的外部以最小化光吸收。
申请公布号 CN103189981B 申请公布日期 2017.04.19
申请号 CN201180053323.1 申请日期 2011.09.19
申请人 克里公司 发明人 P·S·安德鲁斯;R·洛萨多;M·P·劳纳;D·T·埃默森;A·C·阿拜尔;J·C·布里特
分类号 H01L25/075(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I 主分类号 H01L25/075(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 金晓
主权项 一种LED器件,包括:基座,包括衬底以及第一半圆形金属区域和第二半圆形金属区域;第一组LED芯片和第二组LED芯片,被固定到所述基座,使得所述第一组LED芯片内的所有LED芯片连接到所述第一半圆形金属区域并且所述第二组LED芯片内的所有LED芯片连接到所述第二半圆形金属区域,以及所述LED芯片中的每一个LED芯片的端子连接到紧固了该LED芯片的相同的半圆形金属区域;多个线接合,每个线接合连接在LED芯片与所述基座之间,所述多个线接合被设置为使得所有线接合被配置在所述第一组LED芯片和所述第二组LED芯片的外部,并且所述第一组LED芯片中的LED芯片被布置为靠近在一起并且所述第二组LED芯片中的LED芯片被布置为靠近在一起;以及光学元件,被设置为影响来自LED芯片的光。
地址 美国北卡罗莱纳