一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成隔离结构，所述隔离结构将所述半导体衬底分为I/O区域和内核区域；在所述半导体衬底上形成虚拟氧化层；去除所述I/O区域上的虚拟氧化层；在所述I/O区域形成氮化物层；氧化所述氮化物层形成第一栅极氧化层；去除所述内核区域的虚拟氧化层，并在所述内核区域上形成第二栅极氧化层。本发明提出的半导体器件的制作方法在一方面使受界面氮影响较小的I/O继续使用氮氧化硅作为界面层来获得良好的等效氧化层厚度，另一方面，在受界面氮影响较大的内核区域，使用氧化硅作为界面层，从而克服界面氮的影响，以提高半导体器件/集成电路的性能。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成隔离结构，所述隔离结构将所述半导体衬底分为I/O区域和内核区域；在所述半导体衬底上形成虚拟氧化层；去除所述I/O区域上的虚拟氧化层；在所述I/O区域形成氮化物层；氧化所述氮化物层形成第一栅极氧化层；去除所述内核区域的虚拟氧化层，并在所述内核区域上形成第二栅极氧化层。