发明名称 |
一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法,在利用掩膜对MOS器件的源极漏极执行离子注入的步骤如下:步骤1:所述的掩膜包含附加掩膜部分,所述的附加掩膜部分设置在多晶硅栅极上方;步骤2:利用包含附加掩膜部分的掩膜执行源极和漏极的离子注入。本发明能够提供一种新的方法,无需额外成本,可以采用同一进程形成相同结构但阈值电压不同的器件。 |
申请公布号 |
CN103367143B |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201210081784.6 |
申请日期 |
2012.03.26 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
江红;李冰寒;吴小利 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
张静洁;徐雯琼 |
主权项 |
一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法,其特征在于,在利用掩膜对MOS器件的源极漏极执行离子注入的步骤如下:步骤1:所述的掩膜包含附加掩膜部分(PR3),所述的附加掩膜部分(PR3)设置在多晶硅栅极(G)上方;步骤2:利用包含附加掩膜部分(PR3)的掩膜执行源极(S)和漏极(D)的离子注入;所述的附加掩膜部分(PR3)的一端靠近源极(S)侧,该附加掩膜部分(PR3)覆盖将要形成的源极(S)与多晶硅栅极(G)的重叠区,但不影响源极(S)的离子注入;另一端为MOS器件在正常工作时导通状态的源端沟道夹断点。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |