半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，包括：形成介电层于基材上；形成蚀刻停止层于介电层；形成第一图案化的硬式罩幕，以定义出蚀刻停止层上的第一沟渠；形成延伸穿过蚀刻停止层与介电层的第二沟渠。第二沟渠是相邻于第一沟渠。上述方法也包括：以第一材料层填入第一沟渠与第二沟渠中；当第一材料层被填入至第二沟渠中时，将第一沟渠延伸穿过蚀刻停止层与介电层，以形成延伸的第一沟渠；形成第一金属线于延伸的第一沟渠中；形成盖层于第一金属线上；以及移除第一金属线的一部分，以形成第一切口。

主权项

一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：形成一介电层于一基材上；形成一蚀刻停止层于该介电层上；形成一第一图案化的硬式罩幕，以定义该蚀刻停止层上的一第一沟渠；形成一第二沟渠，该第二沟渠延伸穿过该蚀刻停止层与该介电层，其中该第二沟渠与该第一沟渠相邻；以一第一材料层填入该第一沟渠与该第二沟渠；当该第一材料层被填入至该第二沟渠中时，将该第一沟渠延伸穿过该蚀刻停止层与该介电层，以形成一延伸的第一沟渠；形成一第一金属线于该延伸的第一沟渠中；形成一盖层于该第一金属线上；以及使用该蚀刻停止层与该第一材料层做为一蚀刻罩幕，来移除该第一金属线的一部分，以形成一第一切口。