一种半导体器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有具有斜面的凹槽；步骤S2：在所述斜面上形成相互间隔的柱形图案；步骤S3：对所述柱形图案进行加热回流，以在所述斜面上形成三角形结构的图案；步骤S4：以所述三角形结构的图案为掩膜蚀刻所述斜面，以在所述斜面上形成反射式平面光栅。本发明通过在斜面上制作闪耀光栅(反射式光栅)，进行光的耦合作用，不但能够进行耦合，理论耦合效率可以达到90％以上，同时还能起到波长选择的作用。

主权项

一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有具有斜面的凹槽；步骤S2：在所述斜面上形成相互间隔的柱形图案；步骤S3：对所述柱形图案进行加热回流，以在所述斜面上形成三角形结构的图案；步骤S4：以所述三角形结构的图案为掩膜蚀刻所述斜面，以在所述斜面上形成反射式平面光栅。