| 发明名称 | 一种PETE器件用阴极材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种PETE器件用阴极材料。本发明属于光电热电发电技术领域。一种PETE器件用阴极材料，为硅与锗形成二元固溶体化合物，半导体化合物分子式为Si<sub>x</sub>Ge<sub>1‑x</sub>，x＝5‑30％；化合物有元素硼(B)掺杂，掺杂比例为0.02‑0.08mol％；纳米结构生成有两种方式：一种是在合金粉末中添加氮化硼(BN)或是碳60(C<sub>60</sub>)纳米颗粒，添加重量比例为0.2‑0.5wt％；另一种方式是在合金粉未中添加铝纳米颗粒作为造孔剂，添加比例为1‑5vol％，然后将烧结后的材料切成2‑5mm厚的薄片，放在80℃‑120℃的质量浓度为40％‑80％的硝酸中腐蚀。本发明能有效增加材料的散射中心，显著提高阴极材料的电子发射率，有利于阴极对太阳光的吸收，效果明显，适用范围广等。 | ||
| 申请公布号 | CN106564932A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201610932926.3 | 申请日期 | 2016.10.25 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 发明人 | 张丽丽;任保国 |
| 分类号 | C01G17/00(2006.01)I;H01J1/308(2006.01)I | 主分类号 | C01G17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人 | 李凤 |
| 主权项 | 一种PETE器件用阴极材料，其特征是：PETE器件用阴极材料为硅与锗形成二元固溶体化合物，半导体化合物分子式为Si<sub>x</sub>Ge<sub>1‑x</sub>，x＝5‑30％；化合物有元素硼掺杂，掺杂比例为0.02‑0.08mol％；纳米结构生成有两种方式：一种是在合金粉末中添加氮化硼或是碳60纳米颗粒，添加重量比例为0.2‑0.5wt％；另一种方式是在合金粉未中添加铝纳米颗粒作为造孔剂，添加比例为1‑5vol％，然后将烧结后的材料切成2‑5mm厚的薄片，放在80℃‑120℃的质量浓度为40％‑80％的硝酸中腐蚀。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号 | ||