一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件

摘要

本实用新型提供了一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，包括由下至上依次层叠的衬底、InP缓冲层、InAlAs缓冲层、InGaAs沟道层和InAlAs势垒层；沟道层和势垒层之间形成二维电子气，所述势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，所述沟槽内生长有外延层，在所述源极区域的外延层上形成有源极，在所述漏极区域的外延层上形成有漏极；在所述源漏极外延层内侧、势垒层的上方有掺杂盖帽层，所述盖帽层开设凹槽至势垒层上表面，并在露出的势垒层上沉积Al₂O₃介质，在Al₂O₃介质上形成有栅极。通过上述方式，本实用新型能够有效的提高沟道二维电子气的浓度，降低欧姆接触电阻，提升器件的击穿电压。

主权项

一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次层叠的衬底、非掺杂InP缓冲层、非掺杂InAlAs缓冲层、InGaAs沟道层和InAlAs势垒层；所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气，所述InAlAs势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，所述沟槽从InAlAs势垒层表面深入InGaAs沟道层内部，所述沟槽内生长有n型InGaN外延层，在所述源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极，在所述漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极；在所述源漏极外延层内侧、势垒层的上方有掺杂盖帽层，所述盖帽层开设凹槽至InAlAs势垒层上表面，并在露出的InAlAs势垒层上沉积Al₂O₃介质，在Al₂O₃介质上形成有栅极。