| 发明名称 | 铜的高速填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改变以往的铜镀敷温度、浓度、电流密度等或其他条件，加快对基板上形成的孔或沟进行填充的速度的技术。本发明提供一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm<sup>2</sup>以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。 | ||
| 申请公布号 | CN106574390A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201480078098.0 | 申请日期 | 2014.04.25 |
| 申请人 | 株式会社杰希优 | 发明人 | 大森隆史;安田弘树;安藤俊介 |
| 分类号 | C25D7/12(2006.01)I;C25D3/38(2006.01)I;C25D13/22(2006.01)I | 主分类号 | C25D7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 葛凡 |
| 主权项 | 一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含有铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm<sup>2</sup>以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||