平面型DMOS器件及其制备方法和电子设备

摘要

本发明涉及一种平面型DMOS器件及其制备方法和电子设备，在芯片的部分或全部周边连接有延伸的硼离子注入区。本发明还涉及制备平面型DMOS器件的方法。本发明在不改变工艺条件和芯片面积的前提下，通过在划片槽中设计一个外环来包围或部分包围整个芯片，消除工艺过程中带来的那些可动电荷和减少界面陷阱的浓度，这样平面型DMOS器件在wafer(硅片)上常温测试时BV（耐压）稳定，高温测试时漏电流大大减小。

主权项

制备平面型DMOS器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：202：在生长一层厚8000埃的二氧化硅的硅片上涂一层光刻胶，在需要注入硼离子的地方显影刻蚀，注入硼，剂量为1E14个/平方厘米，电压为60KeV，角度为7度，同时在划片槽挨着芯片的地方刻开，注入同样剂量的硼离子，与芯片区注入硼离子同时完成；707：在源极、多晶硅处刻蚀介质层，淀积4微米铝，刻蚀铝，在划片槽区域，也就是在步骤202中划片槽的硼离子注入区也淀积铝。