发明名称 一种温度计码到n位二进制码的并行转换装置及转换方法
摘要 本发明公开了一种温度计码到n位二进制码的并行转换装置及转换方法,该转换装置包含1个n级宏单元、1个n‑1级宏单元、…、1个2级宏单元。应用该转换装置实现的温度计码到n位二进制码转换的逻辑深度为1,最大负载为n‑1个NMOS。同时,本发明公开了一种并行温度计码到n位二进制码转换的方法,该方法选取与相应二进制位变化相关的温度计码实现转码;本发明在版图布局时所需MOS管数很少,布局简单。
申请公布号 CN104158547B 申请公布日期 2017.04.19
申请号 CN201410343215.3 申请日期 2014.07.17
申请人 南京航空航天大学 发明人 张博;陈鑫;黄辉;周江燕;陈荣涛;张婉桥;夏欢;胡薇;陈强;段倩妮
分类号 H03M7/04(2006.01)I 主分类号 H03M7/04(2006.01)I
代理机构 江苏圣典律师事务所 32237 代理人 贺翔
主权项 一种温度计码到n位二进制码的并行转换装置,其特征在于:当n等于2时,包含1个2级宏单元、1个高位输入端口、1个高位输出端口;当n等于3时,包含1个2级宏单元、1个3级宏单元、1个高位输入端口、1个高位输出端口;当n为大于3的整数时,包含1个2级宏单元、1个3级宏单元、…、1个n级宏单元、1个高位输入端口、1个高位输出端口;所述高位输入端口与所述高位输出端口相连;当n为大于等于2的整数时,对于每个大于等于2且小于等于n的整数m,m级宏单元包含2<sup>m</sup>‑1个输入端口、1个输出端口、1个PMOS、1个单独NMOS、2<sup>m‑1</sup>‑1个并联的NMOS组和1个单独反相器,其中:PMOS栅极接GND、源极接工作电压、漏极与单独反相器的输入端相连;单独反相器的输出端与所述输出端口相连;单独NMOS源极接GND、漏极接PMOS的漏极、栅极作为所述m级宏单元的一个输入端口;NMOS组包含两个NMOS和一个反相器,其中一个NMOS的漏极接PMOS的漏极、栅极接反相器的输出端、源极与另一个NMOS的漏极相连,所述另一个NMOS的源极接GND、栅极作为所述m级宏单元的一个输入端口,所述反相器的输入端作为所述m级宏单元的一个输入端口;所述2<sup>m‑1</sup>‑1个并联的NMOS组中,对于每个大于等于1且小于等于2<sup>m‑1</sup>‑1的整数i,由单独反相器至PMOS方向,第i个NMOS组中与NMOS栅极相连的输入端口用于输入第(2i‑1)*2<sup>m‑1</sup>位温度计码、与反相器的输入端相连的输入端口用于输入第(2i)*2<sup>m‑1</sup>位温度计码;所述与单独NMOS栅极相连的输入端口用于输入第(2<sup>n+1‑m</sup>‑1)*2<sup>m‑1</sup>位温度计码;所述高位输入端口用于输入第2<sup>n‑1</sup>位温度计码。
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