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一种超结高压器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：准备具有N+掺杂衬底的硅片，所述衬底上具有N型掺杂的N外延（1）；步骤二：在N型掺杂衬底的硅片表面通过光刻界定出第一沟槽（4）的区域，并通过刻蚀工艺形成第一沟槽（4）；所述第一沟槽（4）宽度为X2，深度为Y2，且满足2X1>X2>X1，2Y1>Y2>Y1，其中，X1为传统沟槽制造工艺形成的沟槽宽度,Y1为其深度；步骤三：在N型掺杂衬底的硅片的表面上，用P型杂质浓度的P型外延层（6）来填充第一沟槽（4），此处填充第一沟槽（4）的杂质浓度为p2，且满足：p2>p1，其中p1为传统填充沟槽的杂质浓度；步骤四：将N型掺杂衬底的硅片的表面上填充第一沟槽（4）之外的P型外延层（6）去除掉，形成相间排列的P柱和N柱，即形成复合缓冲层；步骤五：在复合缓冲层表面通过光刻界定出第二沟槽（5）的区域，并通过刻蚀工艺形成第二沟槽（5），此处第二沟槽（5）的宽度为X3，深度为Y2，满足关系式：X2>X3>X1，2Y1>Y2>Y1,被刻蚀掉的部分包括一部分P柱和一部分N柱，剩余的P柱宽度为X4，深度为Y2，满足关系式：X4<X1；步骤六：在具有复合缓冲层的硅片表面上生长N型杂质浓度的外延层来填充第二沟槽（5）；此处填充的N型外延杂质浓度与N+掺杂衬底的硅片的N型外延层杂质浓度相同；步骤七：将复合缓冲层的硅片表面上多余的N型外延层去除掉，形成相间排列的P柱和N柱，即形成新的复合缓冲层；步骤八：在新的复合缓冲层的硅片表面制造器件的特征层。 |
