光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜以及图案形成方法

摘要

本发明的光刻用下层膜形成用组合物含有特定式(1)所示的化合物以及溶剂成分(S)20～99质量％，除前述溶剂成分(S)以外的成分(A)中包含27～100质量％的该式(1)所示的化合物。

主权项

一种光刻用下层膜形成用组合物，其含有下述式(1)所示的化合物以及溶剂成分(S)20～99质量％，除所述溶剂成分(S)以外的成分(A)中包含27～100质量％的所述式(1)所示的化合物，式(1)中，Ar₁和Ar₂各自独立地表示苯结构、萘结构或联苯结构，Ra各自独立地表示氢原子、碳数1～6的烷基、碳数6～12的芳基、碳数1～4的烷氧基、或碳数1～6的烷基与碳数6～12的芳基组合而成的基团，Rb、Rc、Rf和Rg各自独立地表示氢原子、碳数1～6的烷基或碳数6～12的芳基，Rd和Re各自独立地表示氢原子、碳数1～6的烷基、碳数6～12的芳基、碳数1～4的烷氧基或羟基，此处，Ar₁和Ar₂的取代基能选择任意位置，p表示氰酸酯基的键合个数，为1～3的整数；q表示Ra的键合个数，此处，Ar₁为苯结构时，q为4‑p，Ar₁为萘结构时，q为6‑p，Ar₁为联苯结构时，q为8‑p；t表示1～50的整数。