一种半导体器件浅沟槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件浅沟槽隔离结构的制作方法，至少包括步骤：1）提供一硅衬底，于所述硅衬底表面形成掩膜层，通过光刻工艺于所述硅衬底中形成浅沟槽；2）于所述浅沟槽中形成SiO₂隔离层，其中，所述SiO₂隔离层包括填充于所述浅沟槽的SiO₂填充部以及超出所述硅衬底表面的SiO₂凸起部；3）去除所述掩膜层，并将所述SiO₂凸起部腐蚀至第一宽度；4）于所述SiO₂凸起部两侧的硅衬底表面形成第一厚度的半导体材料层。本发明可以有效减小STI的宽度，并通过外延的方式有效的增加了有源区的面积，可以增大半导体器件的驱动电流，提高半导体器件的集成度。本发明与传统的CMOS工艺兼容，容易实现产业化。

主权项

一种半导体器件浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一硅衬底，于所述硅衬底表面形成掩膜层，通过光刻工艺于所述硅衬底中形成浅沟槽；2)于所述浅沟槽中形成SiO₂隔离层，其中，所述SiO₂隔离层包括填充于所述浅沟槽的SiO₂填充部以及超出所述硅衬底表面的SiO₂凸起部；3)去除所述掩膜层，并将所述SiO₂凸起部腐蚀至第一宽度；4)于所述SiO₂凸起部两侧的硅衬底表面形成第一厚度的半导体材料层；5)将所述第一厚度的半导体材料层腐蚀至第二厚度；6)将所述SiO2凸起部腐蚀至第二宽度；7)于所述SiO2凸起部两侧进行外延，形成第三厚度的半导体材料层。