电子束斑的测量方法和设备

摘要

本发明提出了一种电子束斑的测量方法和设备。所述测量方法包括：准备第一基片，在所述第一基片上形成悬置的光刻胶层，并且在第一基片与光刻胶层相对的另一侧上形成检测窗口；准备第二基片，在所述第二基片上形成背腔结构；将第二基片的背腔结构入口一侧与第一基片的光刻胶一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；将待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口，对光刻胶层进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；以及对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径d：d＝L·tanθ‑W/cosθ。

主权项

一种电子束斑的测量方法，包括：在第一基片的A表面上沉积导电薄膜，构成支撑薄膜；在所述第一基片的与所述A表面相对的B表面上形成检测窗口，其中所述检测窗口穿通所述第一基片，到达支撑薄膜背面，所述检测窗口的宽度为W；在支撑薄膜上涂覆光刻胶；在第二基片中形成独立加工的背腔结构，所述背腔结构用于吸收散射的电子；将所述第二基片的背腔结构入口一侧的C表面与第一基片的A表面一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；使待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口以对光刻胶进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿电子束扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径d：d＝L·tanθ‑W/cosθ。