太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置

摘要

本发明涉及太阳光发电装置用基板的制造方法及太阳光发电装置用基板的制造装置。太阳光发电装置用基板的制造方法，其为对半导体锭进行切片而将半导体基板切出后对上述半导体基板的表面实施表面处理而形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：通过含有氧化性药剂的清洗液将在上述半导体基板的表面附着的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；在上述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液对上述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将由上述切片产生的基板表面的损伤层除去、且在上述半导体基板的表面形成上述纹理结构的蚀刻工序。

主权项

太阳光发电装置用基板的制造方法，其特征在于，其是将半导体锭切片而将半导体基板切出后对所述半导体基板的表面实施表面处理来形成纹理结构的太阳光发电装置用基板的制造方法，所述制造方法包含：用含有氧化性药剂的清洗液将附着于所述半导体基板的表面的有机杂质和金属杂质进行清洗除去的清洗工序；和在所述清洗工序后连续地进行、用碱性水溶液将所述半导体基板的表面进行各向异性蚀刻、由此将通过所述切片产生了的基板表面的损伤层除去、且在所述半导体基板的表面形成所述纹理结构的蚀刻工序，所述清洗工序的清洗温度为55℃以上且不到100℃，所述含有氧化性药剂的清洗液为浓度0.01vol％以上且2.0vol％以下的过氧化氢水。