采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法

摘要

本发明公开了一种采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法，包括炉体，所述炉体内设有石英坩埚，所述石英坩埚的外侧周围设有加热器，上方设有薄石英管，所述薄石英管的一端开口向下，另一端固定在夹持器上，所述夹持器和驱动电机相连并可带动薄石英管一起旋转升降，所述薄石英管内设有气冷腔，所述气冷腔中通有冷却气体，所述气冷腔的底部设有微细气孔且位于薄石英管开口端的上方，所述薄石英管的一侧设有激光切割器，另一侧设有硅片承接板。本发明采用薄石英管作为硅片成型限边，由气冷腔底端的微细气孔喷出的氧化气流接触硅液面，形成具有氧化层的硅片并直接采用激光切割，从而避免浪费硅料，并可有效缓解硅片应力，避免硅片晶向错位。

主权项

一种采用氧化层辅助的硅片制作设备，包括炉体(15)，所述炉体(15)内设有用于盛放熔融硅液(9)的石英坩埚(16)，所述石英坩埚(16)的外侧周围设有加热器(8)，其特征在于，所述石英坩埚(16)的上方设有薄石英管(5)，所述薄石英管(5)的一端开口向下，另一端固定在夹持器(4)上，所述夹持器(4)和驱动电机(1)相连并可带动薄石英管(5)一起旋转升降，所述薄石英管(5)内设有气冷腔(13)，所述气冷腔(13)中通有惰性气体和氧气的混合冷却气体，所述气冷腔(13)的底部设有微细气孔(19)，所述气冷腔(13)的底部位于薄石英管(5)开口端的上方，所述薄石英管(5)的一侧设有激光切割器(12)，另一侧设有硅片承接板(6)。