发明名称 由单一聚合物材料制成的电阻式存储装置
摘要 一种基于聚合物的装置,包括基底;布置在基底上的第一电极;布置在第一电极上并与第一电极接触的活性聚合物层;以及布置在活性聚合物层上并与活性聚合物层接触的第二电极,其中第一电极和第二电极是包含掺杂的导电有机聚合物的有机电极,活性聚合物层包含第一电极和第二电极的导电有机聚合物,并且第一电极和第二电极所具有的导电率是活性聚合物层的导电率高至少三个数量级。
申请公布号 CN104704565B 申请公布日期 2017.04.19
申请号 CN201380052757.9 申请日期 2013.10.08
申请人 沙特基础工业公司 发明人 胡萨姆·N·阿尔沙里夫;穆赫德·阿德南·克翰;昂纳特·S·班萨利;马哈茂德·阿尔马德訇
分类号 G11C11/34(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I 主分类号 G11C11/34(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 张英;宫传芝
主权项 一种基于聚合物的装置,包括:基底;布置在所述基底上的第一电极;布置在所述第一电极上并与所述第一电极接触的活性聚合物层;以及布置在所述活性聚合物层上并与所述活性聚合物层接触的第二电极,其中所述第一电极和所述第二电极是包含掺杂的导电有机聚合物的有机电极,所述活性聚合物层包含所述第一电极和所述第二电极的导电有机聚合物,并且所述第一电极和所述第二电极所具有的导电率比所述活性聚合物层的导电率高至少三个数量级。
地址 沙特阿拉伯利雅得